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PE-MOCVD

処　　理： TaO ( タンタルオキサイド）
用　　途：キャパシター膜・耐薬液性（酸・アルカリ）
処理方法： LLD ( Layer-by-Layer Deposition ）
成膜温度： 150-400℃

処　　理： AlO ( アルミニウムオキサイド）
用　　途：ゲート膜・水素ブロック膜・キャパシター膜
処理方法： LLD ( Layer-by-Layer Deposition )
成膜温度： 300-400℃

成膜と酸化を繰り返し実施する成膜方法で1 回あたりの成膜厚さと成膜回数を適宜選択し所望の膜質・膜厚を得る

処　　理： SiO （シリコンオキサイド）
用　　途：絶縁層膜・ゲート膜
処理方法： PE-CVD

処　　理： SiN （シリコンナイトライド）
用　　途：水ブロック膜・キャパシター膜・ストレスライナー
処理方法： PE-CVD

処　　理：酸化処理
用　　途：各種金属酸化膜の再酸化・有機物除去
処理方法：高密度プラズマ処理

処　　理：窒化処理
用　　途：ゲート酸化膜の窒化・金属窒化膜の表面窒化処理
処理方法：高密度プラズマ処理

処　　理：レジストの除去
用　　途：マスクレジスト除去・ l/l 後硬化レジストの除去
処理方法：高密度プラズマ処理