AlO Film
2015年10月22日
処 理 : AlO ( アルミニウムオキサイド)
用 途 : ゲート膜 ・水素ブロック膜 ・キャパシター膜
処理方法 : LLD ( Layer-by-Layer Deposition )
成膜温度 : 300-400℃
2015年10月22日
処 理 : AlO ( アルミニウムオキサイド)
用 途 : ゲート膜 ・水素ブロック膜 ・キャパシター膜
処理方法 : LLD ( Layer-by-Layer Deposition )
成膜温度 : 300-400℃